张宇
教授
所属院部:
访问次数:
Conductivity based selective etch for GaN Devices and applications thereof(国授权发明专利)授权号:US9206524B2 第一发明人
  • 是否职务专利:
版权所有   ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室