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张宇
教授
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海洋研究院
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Conductivity based selective etch for GaN Devices and applications thereof（国授权发明专利）授权号：US9206524B2 第一发明人
是否职务专利：
否
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Conductivity-based selective etching and its applications for GaN Device,s（日本授权发明专利）授权号：JP5961557B2 第一发明人
下一条：
based selective etch for GaN Devices and applications thereof（国际发明专利）授权号：WO2011/094391A1 第一发明人
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