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张宇
教授
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海洋研究院
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专利
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based on selective etching of the conductive for GaN Devices and their applications 授权号： CN102782818B 第一发明人
是否职务专利：
否
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发光二极管、封装基板结构及封装方法 授权号：ZL201410318643.0 第一发明人
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Conductivity-based selective etching and its applications for GaN Device,s（日本授权发明专利）授权号：JP5961557B2 第一发明人
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