詹学鹏，山东大学教授&博导，国家级青年人才

山东大学杰出中青年学者&齐鲁青年学者&青年学者未来计划

工作邮箱：zhanxuepeng@sdu.edu.cn

研究方向:

学生去向:

1、长期招收优秀本科、硕士&博士研究生，要求具有半导体器件相关基础，学习刻苦、努力上进。
2、优秀学生可推荐到英国/日本/清华/西交大等攻读硕士/博士学位及博士后工作。
3、支持优秀科研工作成果，参加国际/国内学术会议。
4、毕业生去向一般为海外深造（英国全额奖学金）、半导体芯片相关企业（华为/复旦微）、银行、公务员等。

师生获奖:

[1]2025年，山东大学青岛校区公共创新实验中心学生创新创业大赛，指导侯懿轩等获重点资助项目，ChipVerse：基于数字孪生的半导体工艺全流程虚拟仿真与教学平台；
[2]2025年，山东大学青岛校区公共创新实验中心学生创新创业大赛，指导韩兆年等获一般资助项目，高精密恒温激光退火系统研发与工艺验证；
[3]2025年，华为杯第八届中国研究生创芯大赛，指导学生刘毅智、吴一凡、董海涛，获得团队二等奖，中国电子学会教育部学位管理与研究生教育司，中国学位与研究生教育学会、中国科协青少年科技中心；
[4]2023年，第四届半导体青年学术会议最佳墙报，高紧凑快速度全铁电晶体管的储备池神经网络，中国电子学会；
[5]2024年，全国大学生集成电路创新创业大赛，优秀指导教师，工业和信息化部人才交流中心；
[6]2024年，山东省大学生电子设计大赛，指导学生廖杰睿，集成电路设计竞赛一等奖；山东省教育厅
[7]2024年，全国大学生集成电路创新创业大赛，指导学生张发展、陈志坚、隋杰卿，获得华北赛区二等奖；工业和信息化部人才交流中心；
[8] 2022年，山东大学青年教师教学比赛二等奖，山东大学青年教学能手；
[9] 2021年，山东大学青年教师教学比赛三等奖；
[10] 硕士生吴一凡、郭心怡等，获山东大学研究生国家奖学金；硕士生吴书昊，获山东大学华为奖学金；硕士生王成城，获英国全额奖学金攻读博士学位。

教学项目:

[1]2025年山东省教学成果二等奖，科教融合创新守正的微纳光电子新工科实验班建设，参与；
[2]2025年山东大学教学成果二等奖，面向科教融合微纳光电子新工科实验班建设成果，参与；
[3]2025年山东大学本科课堂思政示范课程，《半导体器件及物理》，主持；
[4]202年山东大学本科教学改革项目一般项目，思政领航-虚实融合-数智赋能的半导体工艺器件教学改革研究，主持； 
[5]2025年教育部高校虚拟仿真实验教学案例-典型作品， 先进MOSFET器件制造工艺虚拟仿真实验，主持； 
[6]2025年山东大学课堂教学改革课程项目，《半导体器件及物理》，主持；
[7]2024年教育部产学合作协同育人项目，半导体器件物理工艺及实操师资培训，主持；
[8]2022年山东大学教育教学改革研究一般项目，《半导体器件及物理》 的虚拟仿真建设---工艺与表征，主持；
[9]2021年山东大学青岛校区实验室建设与管理研究项目，数据可视化在电路模拟实验教学中的应用，主持；

[10]2023年山东大学青岛校区实验室建设与管理研究项目，半导体芯片虚实联动仿真平台的开发建设，参与；
[11]2023年山东省本科教学改革研究项目面上项目，新工科交叉融合型人才教育模式的探索与实践，参与；

发明专利:

(1) 半导体单元器件、半导体芯片系统及PUF信息处理系统, ZL201910875894.1 (授权);
(2) 一种可重构的三态内容可寻址存储器单元, 2022-11-4, 中国,202211375829.0 (申请);
(3)  一种基于内容可寻址存储器实现图像投影的方法, 2022-10-27, 中国, 202211326564.5 (申请);
(4) 一种多模式可重构的忆阻选通单元及其制备方法, 2022-10-19, 中国, 202211279446.3 (申请);
(5) 一种基于非易失存储器的加密存算一体的实现方法, 2022-6-6, 中国,202210632129.9 (申请);
(6) 一种储备池计算网络的硬件实现方法, 2022-4-21, 中国, 202210419295.0 (申请);
(7)  一种存储器译码方法, 2024-2-20授权, 中国, 202110146115.1 (授权);
(8) 一种热辅助飞秒激光退火非晶硅的装置, 2020-07-28授权, 中国, ZL201810857006.9 (授权);
(9) 利用飞秒激光在陶瓷球表面进行图案加工的装置及方法, 2019-10-29授权, 中国, ZL201711104932.0 (授权);
(10) 三维非对称微谐振腔聚合物单模激光器，2017.12.29授权,中国，ZL201510300187.1 (授权);
(11) 一种解码大脑活动的针状高密度电极阵列的制备方法，2020.12.04授权,中国，ZL201711398784.8 (授权);
(12) 一种基于存储神经网络拓展随机电报噪声信号的方法，2022.03.14, 中国，202310238115.3 (申请) ;
(13)一种基于渐变组分降低HfZrO基铁电电容器矫顽电场的方法，2022.03.15, 中国，202310249145.4 (申请) ;
(14)一种固态硬盘短期预警方法。申请号：2023105553541 (申请);
(15)一种高可靠性 SSD 存储控制方法。申请号：2023104648309 (申请);
(16) 存算一体卷积运算的存储阵列复用方法, 2024-04-16, 申请号：202410455793.X (申请) ;
(17) 一种模拟型内容可寻址存储器的决策树网络映射方法, 2024-05-23, 申请号：202410646882.2
(18) 一种基于内容可寻址存储器阵列的物体运动轨迹分析与预测方法, 2024-06-18, 申请号：202410784879.7 (申请);
(19) 一种基于环形振荡器和随机电报噪声的双熵源真随机数发生器电路 (申请) 2024107159173, 2024-06-04 (申请);
(20) 一种基于阻变存储器的神经网络电路(申请) 2025103488937, 2025-03-24 (申请);
(21) 一种阻变存储器阵列与存算电路(申请) 2025103479317, 2025-03-24 (申请);
(22) 一种调控光电忆阻器光电响应速率的方法及所得的光电忆阻器 (申请) 2025104048900, 2025-04-01 (申请);
(23) 基于温度调控非易失存取的储备池计算网络及其应用 (申请) 2025107885697, 2025-06-12 (申请);
(24) 无人机集群执行关键信息采集任务的规划方法及系统 (申请) 2025108955216, 2025-0-30 (申请);
(25) 低功耗高性能忆阻器及其制备方法和应用(申请) 2025104219228, 2025-04-03 (申请);
(26) 一种基于光电忆阻器的混合精度神经网络及其权重更新方法，2025111746466，2025-8-21 (申请);
(27) 一种基于闪存可寻址存储器的布尔运算方法。申请号：2025104298605，2025-4-7(申请);
(28) 一种高安全性动态时钟混合域高级加密标准电路(申请) 2025109704338, 2025-07-15.(申请);
(29) 一种大容量NAND闪存寿命预测方法及系统，202510421333X，2025-4-3 (申请);
(30) 一种自适应的非易失神经网络电路，2025111968531，2025-8-26 (申请).;
(31) 基于多栅极调控的 3D 集成短沟道 IGZO 薄膜晶体管及其制备方法， 2025116342628，2025-11-10 (申请);
(32) 一种3D NAND闪存编码方法，2025107001624，2025-5-28 (申请);
(33)一种 SSD 寿命智能预测与管理方法、系统，202510829997X，2025-6-20.(申请);

学术论文 (通讯或第一作者): 

[1].   Optoelectronic Memristors With Tunable Photoconductive Response Supporting Mixed-Precision and Anti-Disturbance Neuromorphic Computing, IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72 (11): 5953-5957
[2].   Reliability Characterizations on the Hybrid Hot-Cold Data Conversion in 3D NAND Flash Memory under Various Temperatures, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 60-61. IEEE, 2025.  
[3].   Experimental Study on Double-layer ZnO Resistive RAM (ReRAM) by Co-optimized Sputtering and Low-temperature ALD Processes, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 68-69. IEEE, 2025.  
[4].   Synaptic Emulated by Double-layer ZnO Resistive RAM (ReRAM) via Optimized Sputter and Low-temperature ALD Process, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 64-65. IEEE, 2025.  
[5].   The Impacts of Different Producing Methods on the Memristive Performance in Monolayer CBRAM, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 96-97. IEEE, 2025.  
[6].   Cross-Temperature FeFETs Enabling Long- and Short-Term Memory for Reservoir Computing Network, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2025, 13: 582-586.
[7].   Universal Content-Addressable Memory with High-Endurance Flash for Functionally Coplete Logic-in-Memory Computing, Science China Information Sciences, 69(2), 122403:1-7 (2026).
[8].   Co-optimization of ferroelectric gate stacks on operation voltage and memory window for next-generation NAND flash, Science China Information Sciences, 68(6), 160404 (2025). 
[9].   High-Speed True Random Number Generator With Multiple Entropy Sources: Ring Oscillator Jitter and Random Telegraph Noise, IEEE Embedded Systems Letters, online 2025
[10].   Enhanced FeFET Performance for Energy Efficient Neuromorphic Computing at Cryogenic Conditions, 2024 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT, pp. 1-2. IEEE, 2024
[11].   Enhanced Ferroelectricity of Hf-Based Memcapacitors by Adopting Ti Insert-Layer and C–V Measurement for Constructing Energy-Efficient Reservoir Computing Network, Advanced Electronic Materials, 2400395, 2024.
[12].   Laser Processing Induced Nonvolatile Memory in Chaotic Graphene Oxide Films for Flexible Reservoir Computing Applications, Journal of Semiconductors, 45(12), (2024) 122403-1.
[13].   Impact of Program-Erase Operation Intervals at Different Temperatures on 3D Charge-Trapping Triple-Level-Cell NAND Flash Memory Reliability. Micromachines 15, no. 9 (2024): 1060.
[14].   A 3D MCAM Architecture based on Flash Memory Enabling Binary Neural Network Computing for Edge AI, Science China Information Sciences, 67(12), 1-9 (2024).  
[15].   Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic, Nature, 630, 346-352 (2024).   
[16].   Flash-based computing-in-memory (CiM) towards stochastic computing with low power-consumption and high noise-immunity, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), pp. 45-46. IEEE, 2024.  
[17].    Opto-electronic monolayer ZnO memristor produced via low temperature atomic layer deposition, 2023 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, Hefei, China, October 27- October 29, IEEE 2023:53-54  
[18].    Sub-10nm HfZrO ferroelectric synapse with multiple layers and different ratios for neuromorphic computing, Nanotechnology, 2023, 33 495201.
[19].    Fully Flash-based Reservoir Computing Network with Low Power and Rich States, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (9):4972-4975  
[20].   Complementary digital and analog resistive switching based on AlOx monolayer memristors for mixed-precision neuromorphic computing, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (8):4488-4492  
[21].   Fully Ferroelectric-FETs Reservoir Computing Network for Temporal and Random Signal Processing, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (6):3372-3377 
[22].   Dual-pulse Disturb-free Programming Scheme for FeFET based Neuromorphic Computing, Microelectronics Journal, 137 (2023) 105818.
[23].   A Gate Programmable van der Waals Metal‐Ferroelectric‐Semiconductor Vertical Heterojunction Memory[J]. Advanced Materials, 2023, 35(5): 2208266.
[24].    Design-Technology Co-optimizations for Symmetric Linear Synapse Behaviors in Ferroelectric FET based Neuromorphic Computing, IEEE Transactions on Nanotechnology, 2022, 21, 747-751 
[25].    Carbon nanotubes and graphene composites used in Cr(VI) detection techniques: A review, Journal of Alloys and Compounds, 2022: 166268.
[26].    A Compact Fully Ferroelectric-FETs Reservoir Computing Network with Sub-100ns Operating Speed, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1555-1558.
[27].    Ferroelectricity induced double-direction conductance modulation in HfxZr1-xO2capacitors, Nanotechnology, 2022, 33 495201.
[28].   A gate-tunable artificial synapse based on vertically assembled van der Waals ferroelectric heterojunction, Journal of Materials Science & Technology, 128 (2022) 239-244.
[29].   Voltage and Temperature Dependence of Random Telegraph Noise and Their Impacts on Random Number Generator, Microelectronics Journal, 125 (2022) 105450.
[30].    Improved Crossbar Array Architecture for Compensating Interconnection Resistance: A Ferroelectric HZO-based Synapse Case, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022, 10: 192-196.
[31].    Experimental observations on C-V measurement caused performance degradations in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric film, 2022 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM), Oita, Japan, March 6-March 9, 2022: 378-380.
[32].    Insights of VG-dependent threshold voltage fluctuations from dual-point random telegraph noise characterization in nanoscale transistors, Science China Information Sciences, 65(8), 189405 (2022). 
[33].    Light-induced resistive switching in Cs0.15FA0.85PbI3-XBrX perovskite-based memristors, Solid State Electronics, 2021, 186: 108166.
[34].    In-situ liquid-phase growth strategies of g-C3N4 solar driven heterogeneous catalysts for environmental applications, Solar RRL, 2021, 5(8): 2100233. 
[35].    Digital and analog functionality in monolayer AlOx-based memristors with various oxidizer sources, Nanotechnology, 2021, 32 35LT01.
[36].    Dual-point technique for multi-trap RTN signal extraction, IEEE Access, 2020, 8: 88141-88146.
[37].    Phosphorous-doped α-Si Film Crystallization Using Heat-Assisted Femtosecond Laser Annealing, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2019, 33(1): 116-120.
[38].    A Dual-Point technique for the entire ID-VG characterization into subthreshold region under Random Telegraph Noise condition. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(5): 674-677.
[39].    Room temperature crystallization of amorphous silicon film by ultrashort femtosecond laser pulses, Optics & Laser Technology, 2019, 112, 363-367. 
[40].    Micro-nano-texturing inner surfaces of small-caliber high aspect ratio and superhydrophobic artificial vessels using femtosecond laser filamenting pulses, Advanced Materials Interfaces, 2018, 5(23), 1801148. 
[41].    Crystallizing Amorphous Silicon Film by Using Femtosecond Laser Pulses, 2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, Beijing, China, November 21-November 23 
[42].    Remote and rapid micromachining of broadband low-reflectivity black silicon surfaces by femtosecond laser filaments, Optics Letters, 2017, 42(3), 510-513. (Editors’ Pick) 
[43].    Toward on-chip unidirectional and single-mode polymer microlaser, Journal of Lightwave Technology, 2017, 35(11), 2331-2336. 
[44].   Plasmon-photon coupled modes lasing in a silver-coated hemisphere, IEEE Photonics Technology Letters, 2015, 28(3): 351-354. 
[45].    Femtosecond laser processing of microcavity lasers, Frontiers of Optoelectronics, 2016, 9(3): 420-427. 
[46].    Unidirectional lasing from a spiral-shaped microcavity of dye-doped polymers, IEEE Photonics Technology Letters, 2014, 27(3): 311-314.