Affilication of Author(s):晶体材料研究所
Disigner of the Invention:xuxiangang,chenxiufang
Application Number:2016102738442
Number of Inventors:3
Service Invention or Not:no
Application Date:2016-04-28
zhaoxian
Professor
山东大学教授、博士生导师，国家安全重大基础研究项目（GF973）首席科学家、JKW重大基础研究项目（GF173）首席科学家、国家科技奖励评审专家，JKW主题专家，山东省杰出青年基金获得者。长期从事与国防应用密切相关的光电功能晶体材料、新型器件及应用等方面的研究工作。先后主持科技部卡脖子项目JKW重大基础研究项目、国家安全重大基础研究项目、国家自然科学基金重大研究计划重点课题、973重大基础研究前期专项、国家自然科学基金面上项目、山东省重大科技创新工程项目等省部级... More+
Patents
一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法
Release time:2019-01-26|Hits:
- Pre One:
- 一种掺镱晶体及其生长方法和应用
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- 一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法