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专利名称：一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202310430551.0

发明人数：8

是否职务专利：否

申请日期：2023-04-18

公开日期：2024-01-30

授权日期：2024-01-30

发布时间：2024-05-18