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钟宇

副研究员
性别：女
毕业院校：德国拜罗伊特大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料集成攻关大平台
入职时间： 2021-01-11
电子邮箱：yu.zhong@sdu.edu.cn

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一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法

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所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202310430551.0

发明人数：8

是否职务专利：否

申请日期：2023-04-18

公开日期：2024-01-30

授权日期：2024-01-30

上一条：一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法