钟宇
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所属单位:新一代半导体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202310437073.6
发明人数:8
是否职务专利:否
申请日期:2023-04-18
公开日期:2024-02-02
授权日期:2024-02-02
上一条:一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
下一条:一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法