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专利名称：一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202310430500.8

发明人数：8

是否职务专利：否

申请日期：2023-04-18

公开日期：2024-06-11

授权日期：2024-06-11

发布时间：2024-06-13