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All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
全部作者:
宋爱民,王一鸣,王卿璞,周莉,辛倩
第一作者:
杨进
论文类型:
基础研究
论文编号:
2532544AF4F5476799F6AF1C6F32887A
卷号:
39
期号:
12
页面范围:
1876
是否译文:
发表时间:
2018-12-01