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周莉
副教授
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论文成果
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Ambipolar SnO<inf>x</inf>thin-film transistors achieved at high sputtering power
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
MICROELECTRONICS JOURNAL
第一作者:
曹超
论文编号:
042E3AEC792C4CBBB22015DF540EFFA6
期号:
133
字数:
4
是否译文:
否
发表时间:
2023-01-10
上一条:
Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
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