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宗福建
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论文成果
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采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
所属单位:
物理学院
发表刊物:
《功能材料》
全部作者:
马瑾,林兆军,宗福建,张锡健,栾彩娜
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-73891
卷号:
v 37
期号:
n SUPPL.
页面范围:
1
是否译文:
否
发表时间:
2006-10-15
上一条:
Thermal stability of GaN powders investigated by XRD, XPS, PL, TEM, and FT-IR
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Thermal stability of GaN powders in the flowing stream of N2 gas
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