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采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
  • 所属单位：
    物理学院
  • 论文名称：
    采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜
  • 第一作者：
    肖洪地
  • 全部作者：
    栾彩娜,马瑾,林兆军,宗福建,张锡健,肖洪地
  • 论文编号：
    lw-73891
  • 卷号：
    v 37
  • 期号：
    n SUPPL.
  • 页面范围：
    1
  • 字数：
    3000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2006-10
  • 发布时间：
    2019-10-24
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