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左致远
教授
所属院部:
光学高等研究中心
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科研项目
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具有GaN插入层的大功率碳化硅光导开关制备及其性能研究
所属单位:
微电子学院
负责人姓名:
徐化勇
项目来源单位:
省科技厅
项目性质:
纵向
项目级别:
省、部委级
项目参与人员:
徐化勇,左致远,彭燕,张恒
项目编号:
kyxm-63543
立项时间:
2016-11-18
计划完成时间:
2018-11-30
结项日期:
2018-11-30
开始日期:
2016-11-01
项目批准号:
ZR2016FB23
上一条:
石墨烯-窄带隙二维材料异质结非线性光学特性的电场调控及其在脉冲激光器中的应用研究
下一条:
二维BP/h-BN异质结材料制备及其饱和吸收超快激光特性研究
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