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山东大学
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左致远
教授
所属院部:
光学高等研究中心
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论文成果
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Light-induced resistive switching in Cs0.15FA0.85PbI3-XBrX perovskite-based memristors
所属单位:
信息科学与工程学院
发表刊物:
SOLID-STATE ELECTRONICS
第一作者:
詹学鹏
论文类型:
基础研究
论文编号:
5594D1CABAD740B381B7CAC0A474982D
期号:
186
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2021-12-01
上一条:
Photo‐Enhanced Resistive Switching Effect in High‐Performance MAPbI3 Memristors
下一条:
Optical Properties of Ion Accumulation Areas in MAPbX(3) Single Crystals
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