论文成果
InAlN/GaN HEMT on Si with fmax = 270 GHz
  • 发表刊物:
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 全部作者:
    Meng Jia,Hang Chen,Guangyang Lin,Jie Zhang,Lars Gundlach,John Q. Xiao
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Yuping Zeng
  • 卷号:
    68
  • 期号:
    3
  • 页面范围:
    994
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2021-03-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Membrane-bound L- and D-lactate dehydrogenase activities of a newly isolated Pseudomonas stutzeri strain

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