论文成果
Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Journal of Applied Physics
  • 全部作者:
    Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Wei Lin,Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu
  • 第一作者:
    Ming Yang
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    119
  • 页面范围:
    224501
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2016-06-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering

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