本人一直从事多种半导体材料/器件的光电特性研究，包括：块材料、薄膜、碳纳米管，以及量子点、量子阱等低维（纳米）半导体材料/器件（如LED，LD，日盲探测器等）的光电特性。现主要从事宽禁带GaN基多量子阱结构（LED）光学特性的研究。这是因为，尽管GaN基LED已经被广泛应用于照明、显示、数据存储、保密通讯、生物化学等领域，但由于合适衬底的缺乏，以及内部缺陷、内建电场、内反射、p型（Mg）掺杂困难等诸多原因的存在，致使高效、高性能GaN基LED的制备一直是该领域丞待解决的难题。本研究聚焦于上述难题，在传统GaN基多量子阱结构/LED结构的基础上，通过能带工程/应力调控，即通过导入准超晶格In(Al)GaN/(Al)GaN下置层作为有源区应力释放层、(Al)GaN插入层作为阱/垒界面的应力补偿层、 低温p-(Al)GaN缓冲层作为空穴注入层（兼具调整能带图形）等结构来制备GaN基LED；通过多种光谱测量（光致发光、电致发光、时间分辨等）和结构质量表征（AFM、XRD、Raman、SEM、TEM等）， 来调查结构参数/生长工艺对缺陷密度、组分起伏、应力、辐射波长（In并入率）和发光效率等的影响规律，从而阐明其载流子的注入（产生）、传输、复合发光过程的内部物理机制，并最终探索出制备高效、高性能InGaN基多量子阱LED的较佳结构参数和生长工艺。