Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT
点击次数：
所属单位：集成电路学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：王鸣雁
论文编号：4B0DEB3F96FA4996984DC4990B4D40E1
期号：12
字数：3
是否译文：否
发表时间：2023-10-05
发表时间：2023-10-05
教授
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2003-12-08
Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：王鸣雁
论文编号：4B0DEB3F96FA4996984DC4990B4D40E1
期号：12
字数：3
是否译文：否
发表时间：2023-10-05
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