所属单位：晶体材料研究院

论文名称：Preparation and optimization of freestanding GaN using low-temperature GaN layer

发表刊物：Frontiers of Materials Science

全部作者：邵永亮,郝霄鹏,吴拥中,张雷,张保国

第一作者：田媛

论文类型：基础研究

论文编号：2DF14C2A0FF0478F9C1EBCF5EDF06AD8

卷号：13

期号：3

页面范围：314

是否译文：否

发表时间：2019-05-21