左致远
教授
所属院部: 光学高等研究中心
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论文成果
Light-induced resistive switching in Cs0.15FA0.85PbI3-XBrX perovskite-based memristors
  • 所属单位:
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物:
    SOLID-STATE ELECTRONICS
  • 第一作者:
    詹学鹏
  • 论文类型:
    基础研究
  • 论文编号:
    5594D1CABAD740B381B7CAC0A474982D
  • 期号:
    186
  • 字数:
    5
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2021-12-01
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