左致远
教授
所属院部： 光学高等研究中心
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Photo‐Enhanced Resistive Switching Effect in High‐Performance MAPbI3 Memristors
  • 所属单位：
    光学高等研究中心
  • 发表刊物：
    Advanced Materials Interfaces
  • 第一作者：
    刘泽翰
  • 论文编号：
    36A0010986584C62BA06F9A556D8BE9D
  • 期号：
    2205
  • 字数：
    4
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-10-06
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