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国家重点研发计划“垂直沟道铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器（DRAM）技术研究”

  • 项目名称：国家重点研发计划“垂直沟道铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器（DRAM）技术研究”
  • 项目来源：国家重点研发计划
  • 结项日期：2025-10-01
  • 开始日期：2022-11-01
  • 发布时间：2024-08-17

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