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The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：
张斌
论文编号：
B1BC604AAB9442D8AE18D256B1AA3FCF
期号：
1
字数：
4
是否译文：
否
发表时间：
2024-04-09
上一条：
Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors
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