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1. 陈思衡. High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V. IEEE Electron Device Letters, 12, 2343, 2024.
2. 罗鑫. Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer. APPLIED PHYSICS LETTERS, 125, 2024.
3. 陈思衡. Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing. Solid-State Electronics, 213, 2024.
4. 罗鑫. Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 187, 2024.
5. 张斌. The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode. IEEE Transactions on Electron Devices, 2024.
1. 一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
2. 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
3. 一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
4. 一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
5. 具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
6. 基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
7. 基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管
8. 一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法
9. 基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件
10. 一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
11. 集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件
12. 一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
13. 一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法
14. 一种半导体器件及其制造方法
15. 一种改善短路能力的SiCMOSFET器件
16. 碳化硅混合3C-SiC接触PN结肖特基二极管及制备方法
17. 一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法
18. 一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法
19. 一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
20. 一种版图结构、半导体器件和其制造方法
1. 2024-Handoko LINEWIH-CJJH, 2024/04/01-2029/04/30
1.刘芝新
2.蔡菁菁
3.刘世杰
