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新一代半导体材料集成攻关大平台
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专利
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一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法
所属单位:
新一代半导体材料研究院
专利类型:
发明
申请号:
202410324492.3
发明人数:
4
是否职务专利:
否
申请日期:
2024-03-21
公开日期:
2024-05-31
授权日期:
2024-05-31
上一条:
一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
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一种半导体器件及其制造方法
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