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具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    202410612021.2
  • 发明人数：
    4
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2024-05-17
  • 公开日期：
    2024-09-03
  • 授权日期：
    2024-09-03
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