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测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    202411603552.1
  • 发明人数：
    5
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2024-11-12
  • 公开日期：
    2025-03-07
  • 授权日期：
    2025-03-07
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