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High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2022-11-17
点击次数：
所属单位：
集成电路学院
发表刊物：
Physica Status Solidi C
第一作者：
严林龙
论文编号：
lw-180407
字数：
4500
是否译文：
否
发表时间：
2015-09-13
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High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide
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Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
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