Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction
发布时间：2023-07-19
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 关键字：
- Alumina;Aluminum oxide;Field effect transistors;Gallium compounds;Heterojunctions;II-VI semiconductors;Nanosheets;Semiconducting indium compounds;Zinc oxide;Back channels;Filed-effect-transistor;Gallium oxide (ga2o3);High mobility;Mobility (μ);Mode operation;Nano sheet;P-n heterojunctions;p-Type SnO;Threshold voltage (VTH);Gallium oxide (Ga2O3);filed-effecttransistors (FETs);heterojunction;threshold voltage (V-TH);p-type SnO;mobility (mu)
- 第一作者：
- 王珣珣
- 论文编号：
- 1478204783637565441
- 卷号：
- 43
- 期号：
- 1
- 页面范围：
- 44-47
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01