Enhancement in Performance and Reliability of Fully Transparent a-IGZO Top-Gate Thin-Film Transistors by a Two-Step Annealing Treatment
发布时间：2025-05-28
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Nanomaterials
- 第一作者：
- 郑帅英
- 论文编号：
- FC9E10EFB09A42A5A29E69F4EBC2DE54
- 卷号：
- 15
- 期号：
- 6
- 页面范围：
- 460
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-03-19