王守志
研究员
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论文成果
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Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    CRYSTENGCOMM
  • 第一作者：
    刘磊
  • 论文编号：
    52AE4BFE08514483BC24200655DD68FB
  • 卷号：
    24
  • 期号：
    10
  • 页面范围：
    1840
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-03-07
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