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王守志
研究员
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
刘磊
论文编号：
52AE4BFE08514483BC24200655DD68FB
卷号：
24
期号：
10
页面范围：
1840
是否译文：
否
发表时间：
2022-03-07
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