王守志
研究员
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一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    202210119968.0
  • 发明人数：
    7
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2022-01-28
  • 公开日期：
    2023-02-28
  • 授权日期：
    2023-02-28
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