Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发布时间：2020-05-19
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- 论文名称：
- Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
- 发表刊物：
- Appl. Phys. Lett.
- 第一作者：
- Y. Wang
- 全部作者：
- J. Zhang, G. Liang, Y. Shi, Y. Zhang, Z. R. Kudrynskyi, Z. D. Kovalyuk, A. Patane, Q. Xin*, and A. Song*
- 卷号：
- 115
- 期号：
- 33502
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-01
- 发布时间：
- 2020-05-19