Solution-Processed TiO2-Based Schottky Diode with a Large Barrier Height
发布时间：2020-05-19
点击次数：
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Lett.
- 全部作者：
- W. Cai, J. Zhang, J. Brownless, J. Wilson, Y. Zhang, and A. Song*
- 第一作者：
- X. Zhang
- 卷号：
- 40
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 1378-1381
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-01-01