具体研究内容包括：

1、研究高存储密度3D NAND芯片的可靠性特性测试及物理机理

2、探索限制闪存高密度三维集成的本征核心问题：材料与器件

3、研究下一代高密度闪存芯片关键工艺的优化方案与技术

4、结合材料计算与芯片测试研究存储系统的可靠性优化策略

代表性研究成果：

1. F. Wang, et al., IEEE Access, 9, 47391, 2021;

2. F. Chen, et  al., Micromachines, 12, 1152, 2021;

3. Y. Kong, et al., IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 39, no. 11, pp. 4042-4051, Nov. 2020;

4. F. Wang et al.,IEEE Electron Device Letter, 41, 8, 1189, Aug. 2020;

5. F. Wang et al., Applied Physics Express, 13, 054002, May. 2020;

6. F. Wang et al., Applied Physics Express, 13, 044001, Apr. 2020;

7. J. Wu et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 52, 395103, 2019;

8. J. Wu et al., IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol.7,1, pp.626-631, 2019;

9. J. Wu et al., IEEE IEDM Tech. Dig.,95-98, 2017；