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陈晓寒
教授
所属院部:
信息科学与工程学院
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High-Power Passively Q-Switched Nd:YAG Laser at 1112nm with a Cr4+:YAG
发布时间:2019-10-22
所属单位:
信息科学与工程学院
论文名称:
High-Power Passively Q-Switched Nd:YAG Laser at 1112nm with a Cr4+:YAG
发表刊物:
CHIN. PHYS. LETT.
第一作者:
李平
全部作者:
陈晓寒,马宝民
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-177496
是否译文:
否
发表时间:
2015-11
发布时间:
2019-10-22
上一条:
High-Power Passively Q-Switched Nd:YAG Laser at 1112nm with a Cr4+:YAG Saturable Absorber
下一条:
Research of multi-pulses emission in passively Q-switched Nd3+:YAG microchip laser
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