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陈晓寒
教授
所属院部:
信息科学与工程学院
访问次数:
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论文成果
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LD-Pumped Passively Q-Switched Nd:GGG Laser at 1062 nm with a GaAs Saturable Absorber
所属单位:
信息科学与工程学院
发表刊物:
Laser Physics
全部作者:
王青圃,陈晓寒
第一作者:
李平
论文类型:
应用研究
论文编号:
lw-137492
卷号:
21
期号:
10
页面范围:
1867
是否译文:
否
发表时间:
2011-11-08
上一条:
Multiple-beam output of a surface-emitted terahertz-wave parametric oscillator by using a slab MgO:LiNbO3 crystal
下一条:
High-Power Passively Q-Switched Nd:YAG Laser at 1112nm with a Cr4+:YAG Saturable Absorber
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