戴子忆

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Neuromorphic memristor based on amorphous InAlZnO film for synaptic behavior simulation
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 发表刊物：
    APPLIED PHYSICS LETTERS
  • 论文编号：
    DFDEF2DCDC314F80B05FDCDBD68F6AA1
  • 期号：
    25
  • 字数：
    3
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-12-19
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