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氧空位（Ov）是一种广泛存在于金属氧化物晶格中的阴离子缺陷，例如 CeO2、TiO2 和 ZnO。由于氧空位可以改变固体的能带结构，从而改善其物理化学性质，如半导体性能和催化行为。我们在此报告一种新型 Ov，它是完美晶面的内在组成部分。这种非缺陷 Ov 源自三价稀土氧化物 (RE2O3) (111) 平面上的不规则六边形锯齿状结构。具有这种固有 Ov 结构的材料在与表面 Ru 活性位点的氨分解反应中表现出卓越的性能。当 Sm2O3、Y2O3 和 Gd2O3 表面的 Ru 含量约为 1 wt%时，H2 生成率极高，是文献报道值的 1.5-20 倍。本征 Ov 的发现表明，在异相催化和表面化学中应用 RE 氧化物具有巨大的潜力。
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