冯华钰，山东大学集成电路学院副研究员，硕士研究生导师。

　　入选山东大学青年学者未来计划、博士后国际交流计划引进项目。

　　主要从事新一代超宽禁带半导体材料——氧化镓的外延、光电器件、功率器件研究，同时并行开展微纳光学方面的研究。氧化镓具有4.4-5.3eV的禁带宽度，相对于SiC和GaN更高的击穿场强，目前已经在日盲紫外光电探测、车载功率器件、射频功率器件等方向展现出了巨大的应用潜力。

　　氧化镓相关研究由集成电路学院与山东大学新一代半导体研究院氧化镓课题组合作开展。目前实验室已具有多种外延方法，包括Mist-CVD、HVPE，同时氧化物MOCVD外延设备预计2024年中期到位。新一代半导体研究院氧化镓课题组目前拥有国内最先进的氧化镓单晶生长技术，集成电路学院拥有完整的微纳加工平台和测试平台，我们同步开展氧化镓同质外延和异质外延及相关器件的研发工作。

　　目前，我们已成功生长 2 英寸 Si 掺杂 α-Ga₂O₃ 异质外延片，其日盲光电探测指标处于同行前列；同时我们发展了FIB加工方法，制备的氧化镓日盲光电探测器其相关指标处于世界前列（ACS AMI, 2023；AOM，2023）。

研究方向：

　　氧化镓外延

　　氧化镓光电/功率器件

　　微纳光学

近期文章：

　　氧化镓方向：

　　1. High-performance solar-blind photodetector based on Si-doped α-Ga2O3 thin films grown by mist chemical vapor deposition, Huijia Ouyang, Xiaojie Wang, Yang Li, Runchen Wang, Yaxue Wang, Na Lin, Tao He, Hua Yu Feng*, Wenxiang Mu, Zhitai Jia, J. Alloy. Compd. 1003, 175593(2024). 

    2. Enhancement of solar blind full band absorption in photodetector with Ga2O3 nanopore and Al nanograting,  Qingyao Mao, Huarong Yang, Zijian Li, Yanpeng Shi, Hua Yu Feng*, Feng Luo, Zhitai Jia, Opt. Express 32, 19508(2024).

       3. Enhancement-Mode Phototransistors Based on β-Ga₂O₃ Microflakes Fabricated by Focused Ion Beams, H. Yang, H. Y. Feng*, et al., Adv. Optical Mater. 12, 2302213(2023).（封面文章，IF：9）

       4. Efficient Suppression of Persistent Photoconductivity in β-Ga₂O₃ Based Photodetectors with Square Nanopore Arrays, H. Yang, H. Y. Feng*, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces 15, 32561(2023).（IF：9.5）

　　微纳光学方向：

　　1. Unconventional Transverse Magneto‐Optical Kerr Effect in Cobalt Nanopillar Arrays, T. Cheng, H. Y. Feng*, et al., Adv. Optical Mater. 2303242(2024). 

　　2. Enhanced Faraday Rotation by a Fano Resonance in Substrate-free Three-dimensional Magnetoplasmonic Structures, T. Cheng, H. Y. Feng*, et al., Nanoscale 15, 15583(2023). （封面文章，IF：6.7）

　　3. Switching the Optical Chirality in Magnetoplasmonic Metasurfaces Using Applied Magnetic Fields, J. Qin, H. Y. Feng, et al., ACS Nano 14, 2808 (2020).

　　其它方向：

　　1. A Carbonate-Templated Decanuclear Mn Nanocage with Two Different Silsesquioxane Ligands, K. Sheng, H. Y. Feng*, et al., Inorg. Chem. 60, 14866(2021).（IF：5.1）

　　2. Quantitative Analysis of the Defects in CVD Grown Graphene by Plasmon-enhanced Raman Scattering，Y. Liu, H. Y. Feng, et al., Carbon 161, 153 (2020).

教学荣誉：

　　2023年　  第十七届 iCan 大学生创新创业大赛  国家一等奖/优秀指导教师

　　　　　第十届“创青春”中国青年创新创业大赛  国家优秀奖

　　　　　省级特等奖、一等奖若干

2024年 　 第四届山东大学教师教学创新大赛  二等奖

毕业学生去向：

焦锡檬：华为

郭晨：华为

杨华荣：京东方-北京晨晶电子

招生：

　　课题组围绕氧化镓产业链布局，目前拥有国内最完整的氧化镓衬底、外延生长、器件加工工艺，以及完整的半导体芯片测试平台。

　　每年依托集成电路学院招收2-4名硕士研究生。

　　欢迎有志于新一代宽禁带半导体外延、器件、功率模块与系统方向的同学报考！

　　微电子、物理、材料、电子电路等相关专业的同学优先。

　　有意者请邮件联系：huayu.feng@sdu.edu.cn。