Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics & Technology
第一作者：张京坤
论文编号：1AF686D126A84E3C806B7CAA1011D870
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-12-09
发表时间：2023-12-09
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：日本早稻田大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究所
入职时间：2019-04-10
学科：材料学
凝聚态物理
材料物理与化学
电子邮箱：fxw@sdu.edu.cn
Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics & Technology
第一作者：张京坤
论文编号：1AF686D126A84E3C806B7CAA1011D870
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-12-09
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