Growth and efficient laser emission of Er3+doped LGGG single crystal at 2.8 μm
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics and Technology
第一作者：张京坤
论文编号：2A5EF613F4FA47F28A04FDE6DE3698F0
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2024-01-19
发表时间：2024-01-19
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：日本早稻田大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2019-04-10
学科：材料学
凝聚态物理
材料物理与化学
电子邮箱：fuxiuwei769@163.com
Growth and efficient laser emission of Er3+doped LGGG single crystal at 2.8 μm
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics and Technology
第一作者：张京坤
论文编号：2A5EF613F4FA47F28A04FDE6DE3698F0
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2024-01-19
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