登录
|
山东大学
|
English
任华英
教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Precision Control of Amphoteric Doping in CuxBi2Se3 Nanoplates
发布时间:2024-10-21
论文名称:
Precision Control of Amphoteric Doping in CuxBi2Se3 Nanoplates
发表刊物:
Precision Chemistry
第一作者:
Huaying Ren, et al.
论文类型:
期刊论文
卷号:
2
期号:
8
页面范围:
421-427
DOI码:
10.1021/prechem.4c00046
是否译文:
否
发表时间:
2024-08
收录刊物:
SCI
发布期刊链接:
https://doi.org/10.1021/prechem.4c00046
发布时间:
2024-10-21
上一条:
Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth
下一条:
Any surface will do
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部