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胡强强
性别:男
在职信息:不在职

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在职信息:不在职 所在单位:晶体材料研究院 入职时间:2017-07-03

Crystal growth and optimization of Pr:CaGdAlO4 by the flux-Czochralski method

点击次数: 所属单位:晶体材料研究院 发表刊物:CrystEngComm 全部作者:胡强强,贾志泰,张健,陶绪堂 第一作者:胡强强 论文编号:773108B56F6F4161829264992932B7F9 卷号:20 期号:5 页面范围:590 是否译文: 发表时间:2018-02-07