ZXSufjLNHv3Jyyptrza5g2oxHNP9LjV9kTHSKNn1PRuFNmfyFHNIckosouWV
个人信息
胡强强
性别:男
在职信息:不在职

个人信息 Personal information

在职信息:不在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2017-07-03 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Crystal growth and optimization of Pr:CaGdAlO4 by the flux-Czochralski method

发布时间:2019-10-24 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Crystal growth and optimization of Pr:CaGdAlO4 by the flux-Czochralski method

发表刊物:CrystEngComm

第一作者:胡强强

全部作者:张健,陶绪堂,贾志泰,胡强强

论文编号:773108B56F6F4161829264992932B7F9

卷号:20

期号:5

页面范围:590

是否译文:

发表时间:2018-02

发布时间:2019-10-24

上一条:Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers

下一条:One-step exfoliation of ultra-smooth beta-Ga2O3 wafers from bulk crystal for photodetectors