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个人信息
胡强强
性别:男
在职信息:不在职

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在职信息:不在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2017-07-03 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

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Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers

发布时间:2019-10-24 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers

发表刊物:CRYSTAL GROWTH & DESIGN

第一作者:穆文祥

全部作者:张健,陶绪堂,贾志泰,尹延如,胡强强,李阳,穆文祥

论文编号:47CBE721CDF2490E80EB5FC3CDF27DAF

卷号:18

期号:5

页面范围:3037

是否译文:

发表时间:2018-05

发布时间:2019-10-24

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