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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Diode pumped CW and passively Q-switched Nd:LGGG laser at 1062 nm
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
Laser Physics
全部作者:
张百涛,何京良,陶绪堂
第一作者:
贾志泰
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147615
是否译文:
否
发表时间:
2012-05-05
上一条:
Continuous wave and passively Q-switched laser performance of Nd:LuxGd3-xGa5O12 crystal at 1062 nm
下一条:
Crystal growth and characterization of Nd3+:(LaxGd1-x)(3)Ga5O12 laser crystal
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