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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
论文成果
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High quality crystal growth and anisotropic physical characterization of beta-Ga2O3 single crystals grown by EFG method
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者:
贾志泰,张健,陶绪堂
第一作者:
穆文祥
论文类型:
应用研究
论文编号:
A6E5D4488DB64285936CAF0D1EC1F6FD
卷号:
714
页面范围:
453
是否译文:
否
发表时间:
2017-08-15
上一条:
Crystal growth and spectral broadening of a promising Yb:CaLuxGd1-xAlO4 disordered crystal for ultrafast laser application
下一条:
Growth of homogeneous Nd:LGGG single crystal plates by edge-defined film-fed growth method
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