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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Semiconductor Science and Technology
全部作者:
陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
343681EE28154666B317A53CC22C80CE
是否译文:
否
发表时间:
2019-06-06
上一条:
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
下一条:
Solid–liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
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