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贾志泰
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Electronic structure and optical property of metal-doped Ga2O3: a first principles study
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
RSC ADVANCES
全部作者:
林娜,贾志泰,陶绪堂,赵显
第一作者:
唐程
论文编号:
B0915F6938044F418B9C9945F6E3A402
是否译文:
否
发表时间:
2016-07-29
上一条:
Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector with Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
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Bulk growth, structure, and characterization of the new monoclinic TbCa4O(BO3)3 crystal?
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