贾志泰

教授

Laser damage mechanism and in-situ observation of stacking fault relaxation in β-Ga2O3 single crystal by EFG method

• 所属单位：
  晶体材料研究院
• 发表刊物：
  CrystEngComm
• 第一作者：
  付博
• 论文编号：
  55C24D7F45A949C9A5B51458C58A86D0
• 期号：
  3
• 字数：
  3500
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2021-04-06