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山东大学
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贾志泰
教授
所属院部：
晶体材料研究院
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次
论文成果
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Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
所属单位：
集成电路学院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
王珣珣
论文编号：
94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
卷号：
43
期号：
1
页面范围：
44
字数：
4500
是否译文：
否
发表时间：
2022-01-01
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